為了使產(chǎn)品的尺寸更小和諧振頻率更高，MLCC制造商將面臨著兩方面的挑戰(zhàn):一方面要求瓷料的介電常數(shù)更高，超過10000，另一方面在保持高介電常數(shù)（>100）的條件下要求瓷膜更?。?lt;10μm）。在要求高諧振頻率和低串聯(lián)電阻的場合時(shí)，這類MLCC越來越多地用于耦合、旁路或?yàn)V波電路中。為了優(yōu)化電性能，必須確定材料、設(shè)計(jì)和裝配方法的影響。

在此領(lǐng)域內(nèi)日本取得了領(lǐng)先地位。村田制作所宣稱他們開發(fā)了1μF的電容器，尺寸僅為3.2mmX1.6mm為傳統(tǒng)電容器的一半。其制作方法是采用顆粒極細(xì)的鈦酸鋇粉末，這樣，所用的介質(zhì)更薄。當(dāng)然，給定尺寸的電容器電容量增加，根據(jù)該公司的記載和生產(chǎn)是以月產(chǎn)五百成只起步。

在用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)和航天探測設(shè)備的耐高溫電子系統(tǒng)中，需要穩(wěn)定的耐高溫（300~600C）多層陶瓷電容器作傳感器。所用材料應(yīng)與高溫半導(dǎo)體（SiC、金剛石）相容。美國賓州大學(xué)正在尋求順電和弛豫型的I類介質(zhì)瓷BaZrO3、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3、PMN和PZT,高Tc鐵電體La2Ti2O、Sr2Nb2O,和反鐵電體Biz（Mg4/Nb2/3）O7。控制最佳組成的純度、加工方法和缺陷，可優(yōu)化材料，從而導(dǎo)致600C下的電阻率和擊穿強(qiáng)度提高。

隨著日趨嚴(yán)厲的環(huán)保法規(guī)的出臺(tái)，必須開發(fā)對環(huán)境無污染的低燒介質(zhì)瓷料:它不產(chǎn)生像PbO這一類揮發(fā)物質(zhì)，不需要在以溶劑為基礎(chǔ)的粘合劑系統(tǒng)中加工。美國TAM陶瓷公司正在研究采用CuO基焙燒輔助料來必須開發(fā)低燒結(jié)Z5U和Y5V介質(zhì)瓷料。根據(jù)所要求的介電常數(shù)（高達(dá)10000以上），瓷料含各種比值的BaCuO2:WO3或BaCuO2:MoO3。在1100C下焙燒2小時(shí)，密度可超過理論值的95%。WOz使居里溫度下移，而MoO3卻沒有影響。

對于諸如VLSIDRAM（超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）元件用的電荷儲(chǔ)存電容器和高速開關(guān)VLSI器件中控制同聲噪音用的低感去耦電容器，要求介質(zhì)材料漏電流低，擊穿強(qiáng)度高和介電常數(shù)高，對于256位的DRAM,要求電荷儲(chǔ)存密度在（20~115）pC/cm2的范圍內(nèi)，漏電流密度在（30~360）mA/cm2范圍內(nèi)，介質(zhì)厚度在（0.01~0.2）μm范圍內(nèi)。美國Arizona州立大學(xué)的初步研究表明，用溶膠凝膠法制得的非鐵電鈣鈦礦型PLT（含摩爾分?jǐn)?shù)為28%La的鈦酸鉛）薄膜有希望滿足這些要求。這類薄膜的厚度為0.5μm,作成1mm的電容器，在200V下介電常數(shù)為850，電荷儲(chǔ)存密度為15.8μC/cm2,漏電流密度為0.5mA/cm2’，估計(jì)充電時(shí)間為0.1ns。